基本信息:
- 专利标题： 原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法
- 申请号：CN202210556596.8 申请日：2022-05-18
- 公开(公告)号：CN115036210A 公开(公告)日：2022-09-09
- 发明人： 杜方洲 , 于洪宇 , 汪青 , 蒋洋 , 唐楚滢 , 卢宏浩
- 申请人： 南方科技大学
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
- 专利权人： 南方科技大学
- 当前专利权人： 南方科技大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
- 代理机构： 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理人： 宋家会
- 主分类号： H01L21/263
- IPC分类号： H01L21/263 ; H01L21/3065 ; H01L21/28 ; H01L29/45 ; H01L21/335 ; H01L29/778
摘要：
本申请提供原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件的原位SiN冒层的刻蚀方法先使用碳氟化合物等离子体对原位SiN冒层进行改性，再使用Ar等离子体轰击去除，通过两步连续循环原子层刻蚀工艺精确控制刻蚀深度，降低表面形貌刻蚀损伤，得到光滑的刻蚀表面，有效降低原位SiN冒层选区刻蚀后表面的表面态、缺陷密度、缺陷尺寸及GaN基异质结构的电学性能损失，优化器件欧姆电极制备工艺，让原位SiN冒层在GaN基异质结构器件制备领域得到更广泛的应用。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |