![基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器](/CN/2022/1/142/images/202210711967.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器
- 申请号:CN202210711967.5 申请日:2022-06-22
- 公开(公告)号:CN115032740A 公开(公告)日:2022-09-09
- 发明人: 胡国华 , 李虹宇 , 汪冬宇 , 恽斌峰 , 崔一平
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构: 南京瑞弘专利商标事务所
- 代理人: 秦秋星
- 主分类号: G02B6/12
- IPC分类号: G02B6/12 ; G02B6/124 ; G02B6/125
摘要:
本发明公开了一种基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器,包括SiO2包层和内部基于硅材料制备的粗波分复用器结构。所述粗波分复用器结构是由光栅辅助反向耦合器串联而成,包括中心波导、单侧壁布拉格光栅辅助的耦合波导、螺旋损耗线、弯曲波导和输出端直波导。第一级反向耦合器的输入端连接输入端口直波导,最后一级反向耦合器的透射端连接透射端口的直波导;每级光栅辅助反向耦合器中,中心波导的输入端(左端)与上一级反向耦合器的透射端通过直波导相连接,耦合波导的反射端(左端)分别连接输出端口,耦合波导的右端连接螺旋损耗线。本发明可实现多种波段光信号的粗波分复用,具有低插损、低串扰和显著平顶响应的特点。
公开/授权文献:
- CN115032740B 基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器 公开/授权日:2024-05-24
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G02 | 光学 |
----G02B | 光学元件、系统或仪器 |
------G02B6/00 | 光导;包含光导和其他光学元件(如耦合器)的装置的结构零部件 |
--------G02B6/02 | .带有包层的光导纤维 |
----------G02B6/12 | ..集成光路类型 |