基本信息:
- 专利标题： 碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法
- 申请号：CN202210697888.3 申请日：2022-06-20
- 公开(公告)号：CN114995572B 公开(公告)日：2024-05-14
- 发明人： 梁小斌 , 郑泽东 , 叶之菁 , 李驰 , 张相飞 , 王连忠 , 李涛 , 刘国静 , 刘涛
- 申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,清华大学
- 当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘美丽
- 主分类号： G05F1/567
- IPC分类号： G05F1/567
摘要：
本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法，涉及电子电路技术领域，方法包括：获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压，同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿，无需额外的温度检测要求，使得电路设计较为简单，有利于集成实现。
公开/授权文献:
- CN114995572A 碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法 公开/授权日：2022-09-02
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G05 | 控制；调节 |
| ----G05F | 调节电变量或磁变量的系统 |
| ------G05F1/00 | 从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统 |
| --------G05F1/02 | .调节电弧的电气特性 |
| ----------G05F1/12 | ..其中由末级控制器实际调节的变量是交流的 |
| ------------G05F1/52 | ...利用与负载串联的放电管作末级控制器的 |
| --------------G05F1/565 | ....除对系统输出偏差敏感的装置外，还检测系统一个工况或它的负载的，例如还检测电流、电压、功率因数 |
| ----------------G05F1/567 | .....用于温度补偿的 |