基本信息:
- 专利标题： EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法
- 申请号：CN202210601810.7 申请日：2022-05-30
- 公开(公告)号：CN114968685A 公开(公告)日：2022-08-30
- 发明人： 池雅庆 , 梁斌 , 陈建军 , 袁珩洲 , 罗登 , 郭阳 , 胡春媚 , 刘必慰 , 宋睿强 , 吴振宇
- 申请人： 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 代理机构： 湖南兆弘专利事务所
- 代理人： 胡君
- 主分类号： G06F11/22
- IPC分类号： G06F11/22
摘要：
本发明公开一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，步骤包括：S1.配置被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试测试程序完成一次运行所用的时间、运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积；S2.根据测试得到的时间、面积初始化高能粒子注量率；S3.按照高能粒子注量率不断注入高能粒子辐照被测EDAC加固微处理器，并启动被测EDAC加固微处理器的测试程序，统计测试程序未在时间内运行完成以及运行结果错误的软错误次数，直至总注入量达到预设值；S4.根据统计的软错误次数以及总注入量计算被测EDAC加固微处理器的单粒子翻转截面。本发明具有实现方法简单、测试效率以及精度高等优点。
公开/授权文献:
- CN114968685B EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法 公开/授权日：2024-07-26