基本信息:
- 专利标题： 一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法
- 申请号：CN202210730245.4 申请日：2022-06-24
- 公开(公告)号：CN114937602B 公开(公告)日：2024-07-02
- 发明人： 王少青 , 刘祥泰 , 王海安 , 程妮妮 , 陈海峰
- 申请人： 西安邮电大学
- 申请人地址： 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学
- 专利权人： 西安邮电大学
- 当前专利权人： 西安邮电大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学
- 代理机构： 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理人： 王少文
- 主分类号： H01L21/467
- IPC分类号： H01L21/467
摘要：
本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金属铝掩膜层；S5，制备二氧化硅掩膜层；S6，制备得到图形化的二氧化硅掩膜层；S7，湿法刻蚀氧化镓层；S8，湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层。本发明解决了目前氧化镓的湿法刻蚀中存在掩膜层二氧化硅湿法刻蚀速率快、不易控制的技术问题以及采用二氧化硅干法刻蚀成本高的问题，本发明利用金属铝刻蚀完成二氧化硅图形化，大大降低了湿法刻蚀图形化氧化镓额工艺成本，提高了图形的精确度。
公开/授权文献:
- CN114937602A 一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法 公开/授权日：2022-08-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/465 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/467 | .......应用掩膜的 |