基本信息:
- 专利标题： 拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法
- 申请号：CN202210457555.3 申请日：2022-04-27
- 公开(公告)号：CN114899302B 公开(公告)日：2024-09-17
- 发明人： 彭炜 , 李有金 , 刘晓宇
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海泰博知识产权代理有限公司
- 代理人： 钱文斌
- 主分类号： H10N60/01
- IPC分类号： H10N60/01 ; H10N60/83 ; H10N60/30 ; G01J1/42 ; G03F7/20
摘要：
本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。
公开/授权文献:
- CN114899302A 拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法 公开/授权日：2022-08-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N60/00 | 超导器件 |
| --------H10N60/01 | .制造或处理 |