基本信息:
- 专利标题： 一种GaN-GaON紫外-深紫外宽波段探测器制备方法
- 申请号：CN202210518436.4 申请日：2022-05-12
- 公开(公告)号：CN114823982B 公开(公告)日：2024-03-19
- 发明人： 刘新科 , 蒋忠伟 , 李博 , 马正蓊 , 黄正 , 陈增发 , 黄双武 , 朱德亮 , 黎晓华 , 徐平
- 申请人： 深圳大学
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 代理机构： 深圳尚业知识产权代理事务所
- 代理人： 杨勇
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0336 ; H01L31/109
摘要：
本发明公开一种GaN‑GaON紫外‑深紫外宽波段探测器制备方法，其包括以下步骤：在衬底上生长100～300nm厚的GaN紫外吸收层；对材料表面GaN层进行氧化处理或通过沉积方法，形成GaON深紫外吸收层，退火，产生GaON纳米层；将所述GaON纳米层刻蚀去除1/3～2/3，以暴露出GaN紫外吸收层并形成台阶；制备欧姆接触电极，在衬底的两侧及中间台阶处蒸镀金属膜，形成第一、第二、第三欧姆接触电极。该探测器上的GaN材料具有3.4eV带隙，可用于探测紫外波段，而GaON具有更大的带隙(3.4～4.8eV)，可用于探测深紫外UVC波段，所构建异质结可实现对紫外‑深紫外宽波段的探测。
公开/授权文献:
- CN114823982A 一种GaN-GaON紫外-深紫外宽波段探测器制备方法 公开/授权日：2022-07-29