基本信息:
- 专利标题： 互连结构及其形成方法
- 申请号：CN202110737821.3 申请日：2021-06-28
- 公开(公告)号：CN114823494A 公开(公告)日：2022-07-29
- 发明人： 金书正 , 高铭远 , 牛振仪 , 林彦均 , 彭馨莹 , 张智翔 , 李佩璇 , 林其锋 , 纪志坚 , 苏鸿文
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 朱亦林
- 优先权： 63/158,991 20210310 US 17/242,783 20210428 US
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/528
摘要：
本申请涉及互连结构及其形成方法。一种制造互连结构的方法包括穿过电介质层形成开口。开口暴露第一导电特征的顶表面。该方法还包括在开口的侧壁上形成阻挡层，利用处理工艺钝化第一导电特征的暴露顶表面，在阻挡层之上形成衬里层，以及用导电材料填充开口。该衬里层可以包括钌。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |