基本信息:
- 专利标题： 钨金属化-多层氧化铝黑瓷基片及其制备方法
- 申请号：CN202210247984.8 申请日：2022-03-14
- 公开(公告)号：CN114736005A 公开(公告)日：2022-07-12
- 发明人： 郑亮 , 张迪 , 刘念强 , 李天赐 , 吴刚 , 秦智晗 , 马涛 , 丁小聪
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 申请人地址： 安徽省合肥市高新技术开发区合欢路19号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市高新技术开发区合欢路19号
- 代理机构： 合肥天明专利事务所
- 代理人： 张梦媚
- 主分类号： C04B35/10
- IPC分类号： C04B35/10 ; C04B35/622 ; C04B35/638 ; C04B35/64 ; C04B41/88
摘要：
本发明公开了一种钨金属化‑多层氧化铝黑瓷基片及其制备方法，该制备方法主要工艺有：提供层叠体，所述层叠体顶层的生瓷带的正反两面均印刷有钨浆；生切所述层叠体，获得生坯；将所述生坯高温共烧，其中，高温共烧的工艺具体为反应设备中抽真空后，通入氮气和湿氢的混合气体，以1‑3℃/min升至500‑600℃，保温1‑3h；再以1‑3℃/min升至900‑1000℃，保温20‑60min；最后以1‑2℃/min升温至1500‑1650℃，保温1‑3h，随炉自然冷却。通过本发明中的工艺改进，使得制得的钨金属化‑多层氧化铝黑瓷基片的翘曲问题得到明显改善，黑瓷基片具有高平整度。