![芯片封装结构及其形成方法以及半导体结构](/CN/2021/1/154/images/202110774616.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 芯片封装结构及其形成方法以及半导体结构
- 申请号:CN202110774616.4 申请日:2021-07-08
- 公开(公告)号:CN114725048A 公开(公告)日:2022-07-08
- 发明人: 潘国龙 , 赖昱嘉 , 郭庭豪 , 蔡豪益 , 刘重希 , 余振华 , 邓博元 , 罗登元 , 张楙曮
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构: 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理人: 王素琴
- 优先权: 17/205,621 20210318 US
- 主分类号: H01L23/498
- IPC分类号: H01L23/498 ; H01L23/31 ; H01L21/50 ; H01L21/56
摘要:
本公开实施例的一种芯片封装结构包括中介层结构,中介层结构含有封装侧重布线结构、中介层芯体总成及管芯侧重布线结构。中介层芯体总成包括至少一个硅衬底中介层,且所述至少一个硅衬底中介层中的每一者包括:相应的硅衬底;相应的一组硅穿孔(TSV)结构,在垂直方向上延伸穿过相应的硅衬底;相应的一组内连线级介电层,嵌置有相应的一组金属内连线结构;以及相应的一组金属结合结构,电连接到管芯侧重布线结构。芯片封装结构包括贴合到管芯侧重布线结构的至少两个半导体管芯以及在侧向上包围所述至少两个半导体管芯的环氧模塑化合物(EMC)多管芯框架。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/34 | .冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置 |
----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
------------H01L23/498 | ...引线位于绝缘衬底上的 |