基本信息:
- 专利标题： 一种LED芯片及其制作方法
- 申请号：CN202210454389.1 申请日：2022-04-27
- 公开(公告)号：CN114695617A 公开(公告)日：2022-07-01
- 发明人： 林志伟 , 崔恒平 , 李艳 , 罗桂兰 , 尤翠萍
- 申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- 专利权人： 厦门乾照光电股份有限公司
- 当前专利权人： 厦门乾照光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- 主分类号： H01L33/38
- IPC分类号： H01L33/38 ; H01L33/00
摘要：
本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所述第一型扩展电极与其余所述第二型扩展电极交替分配于所述中间扩展电极的两侧。从而，当电流经所述第二电极(即P电极)流入后优先通过所述中间扩展电极，快速实现电子与空穴的辐射复合发光；同时，通过所述第二电极的中间扩展电极两侧交替且均匀配置所述第一型扩展电极与第二型扩展电极，能够缓和电流在所述中间扩展电极集中的趋势，使电流在发光台面均匀地扩散。