基本信息:
- 专利标题： 沟槽型MOS器件及其制造方法
- 申请号：CN202210618553.8 申请日：2022-06-02
- 公开(公告)号：CN114695518B 公开(公告)日：2022-08-26
- 发明人： 李翔 , 谢志平 , 丛茂杰 , 梁新颖
- 申请人： 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路508号
- 专利权人： 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
- 当前专利权人： 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路508号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 曹廷廷
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供了一种沟槽型MOS器件及其制造方法，在第一导电类型的阱区底部下方的衬底中形成有第一导电类型的掺杂保护环，且在衬底中进一步形成有用于将掺杂保护环、源区、阱区电性连接的第一导电类型的屏蔽柱，且将沟槽栅极形成于掺杂保护环所围区域的衬底中，进而通过形成掺杂保护环和屏蔽柱形成了保护沟槽栅极底部薄弱击穿点的围栏结构，从而提高了器件的耐压特性。而且屏蔽柱将掺杂保护环电性连接到源极金属层，实现了掺杂保护环、源区和源极金属层等电位（例如接地），由此构建了等电位网络，能够大大提高器件的抗浪涌电流能力，继而提高器件的可靠性。
公开/授权文献:
- CN114695518A 沟槽型MOS器件及其制造方法 公开/授权日：2022-07-01