基本信息:
- 专利标题： 芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法
- 申请号：CN202011589292.9 申请日：2020-12-29
- 公开(公告)号：CN114695224A 公开(公告)日：2022-07-01
- 发明人： 杨晋嘉 , 蔡馥郁 , 林大钧 , 蔡滨祥
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/68
- IPC分类号： H01L21/68 ; H01L23/00
摘要：
本发明公开一种芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法，其中该芯片键合对准结构包括:半导体芯片、金属层、蚀刻停止层、至少一个金属凸丘、介电阻障层、硅氧化物层以及碳氮化硅层。金属层位于半导体芯片的键合表面，具有一个金属对准图案。蚀刻停止层覆盖于键合表面和该金属层上。金属凸丘由金属层向上延伸穿过蚀刻停止层，介电阻障层覆盖于蚀刻停止层和金属凸丘上。硅氧化物层覆盖于介电阻障层上。碳氮化硅层覆盖于硅氧化物层上。