基本信息:
- 专利标题： 一种半导体集成器件及其制作方法
- 申请号：CN202210571693.4 申请日：2022-05-25
- 公开(公告)号：CN114664732A 公开(公告)日：2022-06-24
- 发明人： 胡万春 , 许亮亮 , 张留杰 , 付世启
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 王积毅
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/538
摘要：
本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，且所述衬底上设置有多个半导体器件；在所述半导体器件上形成介质覆盖层和介质层；蚀刻所述介质覆盖层和所述介质层，形成多个开口，并在所述开口内形成金属层；在所述金属层表面注入离子，形成掺杂区；在所述金属层上形成顶部介质覆盖层；以及对所述金属层进行退火处理，以在所述掺杂区处形成金属覆盖层。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，提高半导体集成器件的性能。
公开/授权文献:
- CN114664732B 一种半导体集成器件及其制作方法 公开/授权日：2022-09-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |