基本信息:
- 专利标题： 一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法
- 申请号：CN202011368380.6 申请日：2020-11-30
- 公开(公告)号：CN114583017A 公开(公告)日：2022-06-03
- 发明人： 彭璐 , 王彦丽 , 郑波
- 申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 申请人地址： 山东省潍坊市高新区金马路9号
- 专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 山东省潍坊市高新区金马路9号
- 代理机构： 济南金迪知识产权代理有限公司
- 代理人： 赵龙群
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/14 ; H01L33/22
摘要：
本发明涉及一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法，该方法包括(1)在外延片的表面蒸镀ITO；(2)在ITO的表面制备光刻胶图形；(3)对光刻胶图形进行ICP刻蚀，刻蚀至ITO表面的光刻胶完全消耗；缺少光刻胶保护的ITO区域产生了深刻蚀，形成开孔区域；被光刻胶保护的ITO区域产生了浅刻蚀，形成粗化区域；(4)在外延片的表面再次蒸镀ITO；(5)制备P面金属电极图形；(6)利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极；(7)研磨衬底；(8)蒸镀N面金属电极；(9)切割获得独立的芯片。该制备方法采用干法刻蚀进行粗化，此种方法不使用粗化液，无需进行去胶作业，具有时效快、成本低、环保等特点。