基本信息:
- 专利标题： 一种AgI-AgPO3-MpOq体系透明导电玻璃制备方法及电磁屏蔽应用
- 申请号：CN202210298083.1 申请日：2022-03-24
- 公开(公告)号：CN114573231A 公开(公告)日：2022-06-03
- 发明人： 王鹏飞 , 杨利青 , 冯向朋 , 万瑞 , 郭晨
- 申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
- 专利权人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 当前专利权人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
- 代理机构： 西安恒泰知识产权代理事务所
- 代理人： 史玫
- 主分类号： C03C6/06
- IPC分类号： C03C6/06 ; H05K9/00 ; C03C4/14 ; C03B19/02 ; C03C17/23 ; C03C17/34
摘要：
本发明公开了一种AgI–AgPO3‑MpOq体系透明导电玻璃制备方法及其电磁屏蔽应用。所公开的方法包括：将AgI、AgPO3和MpOq的混合物置于高温反应条件下的反应容器中进行熔融，所得熔融液浇注于铜模具中冷却成型，成型材料置于150‑200℃条件下进行退火处理制备所述透明导电玻璃。本发明的制备方法克服了Ag、I、P、W等重金属元素对铂金坩埚的侵蚀所造成紫外截至边红移问题，有效抑制了可见光区域的吸收和AgI低熔点组分的挥发，提高了透明导电玻璃自身的电磁屏蔽能力；进一步本发明在玻璃表面镀制含Si、Zr元素的膜层，对玻璃中的不稳定变价离子起到钝化保护作用，提高了透明导电玻璃的透过率。
公开/授权文献:
- CN114573231B 一种AgI-AgPO3-MpOq体系透明导电玻璃制备方法及电磁屏蔽应用 公开/授权日：2023-01-31