基本信息:
- 专利标题： 一种垂直氮化镓肖特基二极管及其制备方法
- 申请号：CN202210045987.3 申请日：2022-01-14
- 公开(公告)号：CN114566550B 公开(公告)日：2023-03-28
- 发明人： 刘新科 , 黄昊 , 黄双武 , 宋利军 , 高麟飞 , 林峰 , 吴钧烨 , 黎晓华 , 贺威
- 申请人： 深圳大学
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
- 专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 310000 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢706室
- 代理机构： 深圳市恒申知识产权事务所
- 代理人： 廖厚琪
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/329 ; H01L29/207 ; H01L29/40
摘要：
本发明提供一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括衬底，沉积于衬底一侧的阴极接触电极，以及生长于衬底背离阴极接触电极一侧的氮化镓外延层，氮化镓外延层的上表面生长有绝缘层，绝缘层通过蚀刻形成有连通氮化镓外延层的金属层孔；金属层孔中制作有连接于氮化镓外延层的金属薄膜，金属薄膜包覆绝缘层并通过金属层孔与氮化镓外延层形成肖特基接触，构成金属浮动桥(FMB)，其中，氮化镓外延层表面还制备有阳极接触电极，阳极接触电极设置于绝缘层围设的中央区域。本发明制备的垂直氮化镓肖特基二极管的终端结构，将传统的场板结构与浮空金属环结构结合起来，利用简单的工艺实现了比金属环更高的击穿电压，同时避免了场板结构中额外电容的引进。
公开/授权文献:
- CN114566550A 一种垂直氮化镓肖特基二极管及其制备方法 公开/授权日：2022-05-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |