基本信息:
- 专利标题： 一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法
- 申请号：CN202210181556.X 申请日：2022-02-25
- 公开(公告)号：CN114560439A 公开(公告)日：2022-05-31
- 发明人： 杨波 , 李成 , 郑翔 , 黄鑫 , 孙震宇 , 陈新茹
- 申请人： 东南大学
- 申请人地址： 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- 专利权人： 东南大学
- 当前专利权人： 东南大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- 代理机构： 南京众联专利代理有限公司
- 代理人： 薛雨妍
- 主分类号： B81B7/00
- IPC分类号： B81B7/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00 ; G01L1/10 ; G01P15/097 ; G01V1/18
摘要：
本发明公开了一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法，顶层为镀有磁性薄膜的MEMS单片，中层为附加锚点和附加质量，底层为镀有金属薄膜的MEMS单片。中层附加锚点和附加质量键合于底层单片MEMS结构表面之上，顶层单片MEMS结构键合于中层附加锚点和附加质量之上，形成一个具有三维弹性梁构造的超低频垂直轴硅微敏感结构。该敏感结构谐振频率低至10Hz左右，机械灵敏度极高，具有检测超微小加速度、位移、重力变化的能力，兼容MEMS微加工工艺，交叉串扰极低，适用于微型化的超高精度加速度计、地震计、重力计等惯性仪器中。
公开/授权文献:
- CN114560439B 一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法 公开/授权日：2024-10-01