![多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器](/CN/2022/1/6/images/202210032532.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器
- 申请号:CN202210032532.8 申请日:2022-01-12
- 公开(公告)号:CN114553001A 公开(公告)日:2022-05-27
- 发明人: 闻志国 , 王文赫 , 杜君 , 姜帆 , 孙南 , 郭飞 , 刘立宗
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网有限公司,北京智芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网有限公司,北京智芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦; ;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理人: 欧阳高凤
- 主分类号: H02M3/335
- IPC分类号: H02M3/335 ; H02M1/32
摘要:
本发明公开了一种多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器,其中,多有源桥闭锁升压的抑制方法包括以下步骤:在多有源桥中存在闭锁H桥时,确定闭锁H桥的结电容值,并确定至少一个未闭锁H桥与闭锁H桥之间的等值电感值;根据等值电感值和结电容值确定至少一个未闭锁H桥的两相桥臂相位差;根据两相桥臂相位差对至少一个未闭锁H桥进行内移相控制,以对闭锁H桥的端口电压进行抑制。由此,本发明的多有源桥闭锁升压的抑制方法可以保证当多有源桥中出现闭锁H桥时仍然能够处于安全的电流电压下,并且多有源桥中其他未闭锁的H桥也能够正常运行,提高了多有源桥的工作效率和使用寿命。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H02 | 发电、变电或配电 |
----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节 |
------H02M3/00 | 直流功率输入变换为直流功率输出 |
--------H02M3/02 | .没有中间变换为交流的 |
----------H02M3/24 | ..用静态变换器的 |
------------H02M3/28 | ...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 |
--------------H02M3/305 | ....应用需要熄灭装置的闸流管或晶闸管型器件的 |
----------------H02M3/335 | .....仅用半导体器件的 |