基本信息:
- 专利标题： 一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器
- 申请号：CN202210030460.3 申请日：2022-01-12
- 公开(公告)号：CN114513169B 公开(公告)日：2024-02-09
- 发明人： 王政 , 杨茂旋 , 谢倩
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 电子科技大学专利中心
- 代理人： 甘茂
- 主分类号： H03F1/08
- IPC分类号： H03F1/08 ; H03F1/14 ; H03F1/42 ; H03F3/195
摘要：
本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用退化电感技术的150‑170GHz宽带低相位误差可变增益放大器，用以用以有效降低不同增益档位之间的相位误差、同时有效扩展带宽。本发明由依次级联的四个可变增益放大器单元电路构成，每个可变增益放大器单元电路在电流舵型cascode结构的基础上、于共基管与共射管的中间节点引入相位补偿电感MTL，通过设计相位补偿电感MTL的电感值(MTLN或MTLP)，使得前两级单元电路与后两级单元电路实现不同的增益‑相位特性(反向变换或同步变换)；最终通过四级单元电路级联实现相位抵消，即有效减小相位误差，实现宽带低相位误差可变增益放大器。
公开/授权文献:
- CN114513169A 一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器 公开/授权日：2022-05-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/08 | .为减少放大元件内阻的有害影响对放大器的改进 |