基本信息:
- 专利标题： 一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池
- 申请号：CN202210007310.0 申请日：2022-01-06
- 公开(公告)号：CN114512551B 公开(公告)日：2024-03-01
- 发明人： 宋志成 , 马少华 , 郭永刚 , 刘大伟 , 倪玉凤 , 胡继超 , 乔大勇
- 申请人： 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 西北工业大学 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
- 申请人地址： 青海省西宁市东川工业园金硅路4号
- 专利权人： 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司,西北工业大学,青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司
- 当前专利权人： 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司,西北工业大学,青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司
- 当前专利权人地址： 青海省西宁市东川工业园金硅路4号
- 代理机构： 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理人： 孙伟峰; 黄进
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/032
摘要：
本发明公开了一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在p型硅片背面依次设置的第一遂穿层、p型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述p型硅片正面依次设置的n型掺杂发射极层、第二遂穿层、n型掺杂Ga2O3层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明的技术方案中，在双面p型TOPCon光伏电池的正面结构中采用n型掺杂Ga2O3层代替现有的重掺杂多晶硅层，n型掺杂Ga2O3层具有较大的禁带宽度(～4.8eV)，在可见光范围内具有更高的透过率，可以提高可见光的入射效率，从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
公开/授权文献:
- CN114512551A 一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池 公开/授权日：2022-05-17