基本信息:
- 专利标题： 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
- 申请号：CN202210134222.7 申请日：2022-02-14
- 公开(公告)号：CN114498281B 公开(公告)日：2023-07-28
- 发明人： 刘振武 , 仲莉 , 马骁宇 , 刘素平 , 熊聪
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 吴梦圆
- 主分类号： H01S5/02
- IPC分类号： H01S5/02 ; H01S5/125 ; H01S5/22
摘要：
本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。
公开/授权文献:
- CN114498281A 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法 公开/授权日：2022-05-13