
基本信息:
- 专利标题: 脑电波处理系统的再布线封装结构及其制作方法
- 申请号:CN202210407133.5 申请日:2022-04-19
- 公开(公告)号:CN114496988A 公开(公告)日:2022-05-13
- 发明人: 程海洋 , 林挺宇 , 林海斌 , 徐庆全 , 张恒运
- 申请人: 宁波德葳智能科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市奉化区汇明路98号(千人创业园5幢2号)
- 专利权人: 宁波德葳智能科技有限公司
- 当前专利权人: 宁波德葳智能科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市奉化区汇明路98号(千人创业园5幢2号)
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L25/16 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及集成电路封装技术领域,具体公开了一种脑电波处理系统的再布线封装结构,其中,包括:第一布线层封装体、第二布线层封装体、有源器件结构层、无源器件结构层、第一模塑结构和第二模塑结构;无源器件结构层设置在第一布线层封装体上,第一模塑结构设置在第一布线层封装体上且包覆无源器件结构层;第二布线层封装体设置在第一模塑结构背离第一布线层封装体的表面;有源器件结构层设置在第二布线层封装体上,第二模塑结构设置在第二布线层封装体上且包覆有源器件结构层。本发明还公开了脑电波处理系统的再布线封装结构的制作方法。本发明提供的脑电波处理系统的再布线封装结构能够提高集成度且降低损耗。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/34 | .冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置 |
----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |