基本信息:
- 专利标题： 一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法
- 申请号：CN202210071445.3 申请日：2022-01-21
- 公开(公告)号：CN114492278B 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 何蕤 , 兰潇健 , 刘超晖 , 马四光
- 申请人： 季华实验室
- 申请人地址： 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
- 专利权人： 季华实验室
- 当前专利权人： 季华实验室
- 当前专利权人地址： 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
- 代理机构： 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理人： 李晶
- 主分类号： G06F30/367
- IPC分类号： G06F30/367 ; G06F111/08 ; G06F111/10
摘要：
本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和/或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和/或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和/或暗计数。
公开/授权文献:
- CN114492278A 一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法 公开/授权日：2022-05-13
IPC结构图谱:
| G06F30/367 | 设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序 |