基本信息:
- 专利标题： 一种具有片层结构β-SiC及其制备方法
- 申请号：CN202011168634.X 申请日：2020-10-28
- 公开(公告)号：CN114477185B 公开(公告)日：2023-07-07
- 发明人： 李江涛 , 王丽圆 , 杨增朝 , 贺刚
- 申请人： 中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村东路29号
- 专利权人： 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村东路29号
- 代理机构： 北京正理专利代理有限公司
- 代理人： 赵晓丹
- 主分类号： C01B32/984
- IPC分类号： C01B32/984
摘要：
本发明以石墨烯为碳源，与硅粉在氮气气氛下，通过引燃化学炉进行燃烧合成制备β‑SiC，呈现规则的薄片层状结构，不含有游离硅，相纯度高；在片层结构的边缘存在β‑SiC纳米晶须，片层结构内部包括相互交错、细小且短的SiC纳米晶须、以及相互连接的SiC纳米颗粒。大大提高了材料热导率以及陶瓷材料的韧性，能够应用于电子器件封装基板、热交换器等热性能要求高的场合；且制备工艺简单、成本低、反应时间短，有利于工业化生产。
公开/授权文献:
- CN114477185A 一种具有片层结构β-SiC及其制备方法 公开/授权日：2022-05-13
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01B | 非金属元素；其化合物 |
| ------C01B32/00 | 碳；其化合物 |
| --------C01B32/90 | .碳化物 |
| ----------C01B32/914 | ..单一元素碳化物 |
| ------------C01B32/956 | ...碳化硅 |
| --------------C01B32/97 | ....通过SiOorSiO2制备 |
| ----------------C01B32/984 | .....通过硅元素制备 |