基本信息:
- 专利标题： 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用
- 申请号：CN202210119652.1 申请日：2022-02-08
- 公开(公告)号：CN114464691B 公开(公告)日：2024-09-24
- 发明人： 李成 , 张璐 , 洪海洋 , 林光杨 , 陈松岩 , 黄巍
- 申请人： 厦门大学
- 申请人地址： 福建省厦门市思明区思明南路422号
- 专利权人： 厦门大学
- 当前专利权人： 厦门大学
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市思明区思明南路422号
- 代理机构： 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
- 代理人： 张素斌
- 主分类号： H01L31/0312
- IPC分类号： H01L31/0312 ; H01L31/0376 ; H01L31/0392 ; H01L31/18 ; H01L31/20 ; C23C14/16 ; C23C14/18 ; C23C14/58 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
公开/授权文献:
- CN114464691A 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用 公开/授权日：2022-05-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/0312 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含AⅣBⅣ化合物的，如SiC |