基本信息:
- 专利标题： 半导体装置与其制造方法
- 申请号：CN202110400179.X 申请日：2021-04-14
- 公开(公告)号：CN114464664A 公开(公告)日：2022-05-10
- 发明人： 辛格·古尔巴格 , 蔡宗翰 , 许世禄 , 庄坤苍
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 优先权： 17/248,079 20210107 US
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L23/538 ; H01L29/78 ; H01L21/764 ; H01L21/768 ; H01L21/336
摘要：
一种半导体装置与其制造方法，半导体装置可包括一源极，此源极位于一栅极的一第一侧上。半导体装置可包括一漏极，此漏极位于栅极的一第二侧上，其中栅极的第二侧相对于栅极的第一侧。半导体装置可包括位于源极上方的一第一触点。半导体装置可包括位于漏极上方的一第二触点。半导体装置可包括位于栅极上方的一气隙，其中栅极位于至少第一触点与第二触点之间。半导体装置可包括至少两个介电材料，位于气隙与第一触点之间的一区域以及气隙与第二触点之间的一区域的各者中。