基本信息:
- 专利标题： 半导体存储器及其制作方法
- 申请号：CN202210040994.4 申请日：2022-01-14
- 公开(公告)号：CN114420697A 公开(公告)日：2022-04-29
- 发明人： 郭帅 , 左明光 , 白世杰
- 申请人： 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 代理机构： 北京名华博信知识产权代理有限公司
- 代理人： 鲁盛楠
- 主分类号： H01L27/11568
- IPC分类号： H01L27/11568 ; H01L27/11582 ; H01L27/1159 ; H01L27/11597
摘要：
本公开提供一种半导体存储器及其制作方法，其中，半导体存储器包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，堆叠结构包括依次堆叠的支撑层和栅极层；通孔，通孔贯穿堆叠结构暴露衬底的表面；存储结构，存储结构覆盖通孔的表面，位于通孔的存储结构与栅极层接触。本公开的半导体存储器，在堆叠结构的通孔中形成纵向叠层设置的存储单元结构，从而增加了半导体存储器存储密度，提高了集成度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11568 | ........以存储器核心区为特征的 |