基本信息:
- 专利标题： LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管
- 申请号：CN202210296082.3 申请日：2022-03-24
- 公开(公告)号：CN114400184A 公开(公告)日：2022-04-26
- 发明人： 余山 , 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王凯 , 吴波 , 邓永峰 , 刘倩倩 , 郁文
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈潇潇
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/78
摘要：
本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管。所述方法包括：在硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延掺杂形成第一掺杂类型的第二外延层；对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀去除第一部分的第二外延层，余留的第二部分的第二外延层构成第一掺杂类型的体区；在去除第一部分的第二外延层的区域进行第三次外延掺杂形成第二掺杂类型的漂移区；在漂移区内形成浅槽隔离区；形成源漏区和栅极结构。本发明采用三次外延掺杂工艺形成高压PN结，降低工艺难度和制作成本，提高器件的可靠性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |