基本信息:
- 专利标题： 电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法
- 申请号：CN202111669616.4 申请日：2021-12-31
- 公开(公告)号：CN114369819A 公开(公告)日：2022-04-19
- 发明人： 张雷 , 龚凯凯 , 黄耀纬 , 黄先彬 , 洪秀发
- 申请人： 九江德福科技股份有限公司
- 申请人地址： 江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号
- 专利权人： 九江德福科技股份有限公司
- 当前专利权人： 九江德福科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号
- 代理机构： 北京纽乐康知识产权代理事务所
- 代理人： 唐忠庆
- 主分类号： C23C22/77
- IPC分类号： C23C22/77 ; C23C22/86
摘要：
本发明公开了一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法，包括硅烷搅拌桶，所述硅烷搅拌桶通过管道一与硅烷供给桶连接，所述管道一上设有蠕动泵，所述硅烷供给桶通过管道二与过滤器的入口连接，所述管道二上设有离心泵二，所述离心泵二与离心泵一并联，所述过滤器的出口分别通过管道与表面处理机的入口、轻元素X射线荧光分析仪的入口连接。本发明能够实现硅浓度范围为600‑2500ppm硅烷溶液的检测及自动调节，而且自动调节精度高、可靠性强、过程能力提升显著，能大幅度提升电子电路铜箔抗剥离性能，满足覆铜板客户对电子电路铜箔更低粗糙度、更高抗剥离强度的物理性能指标的要求。
公开/授权文献:
- CN114369819B 电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法 公开/授权日：2023-11-28