基本信息:
- 专利标题： 电磁场控制用构件
- 申请号：CN202080059832.4 申请日：2020-08-28
- 公开(公告)号：CN114342004A 公开(公告)日：2022-04-12
- 发明人： 横山笃志
- 申请人： 京瓷株式会社
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 京瓷株式会社
- 当前专利权人： 京瓷株式会社
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 王晖
- 优先权： 2019-157327 20190829 JP
- 国际申请： PCT/JP2020/032738 2020.08.28
- 国际公布： WO2021/040016 JA 2021.03.04
- 进入国家日期： 2022-02-23
- 主分类号： G21K1/093
- IPC分类号： G21K1/093 ; H05H7/04 ; H05H7/14
摘要：
电磁场控制用构件具备：第1绝缘构件，包含筒状的陶瓷，具有沿着轴向延伸的多个贯通孔；导通构件，包含金属，堵塞贯通孔以使得具有在第1绝缘构件的外周开口的开口部；供电端子，与该导通构件连接；和凸缘，位于第1绝缘构件的两端，在第1绝缘构件的外周侧配置包含筒状的陶瓷的第2绝缘构件，该第2绝缘构件的两端被气密地固定于凸缘。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G21 | 核物理；核工程 |
| ----G21K | 未列入其他类目的粒子或电磁辐射的处理技术；照射装置；γ射线或X射线显微镜 |
| ------G21K1/00 | 辐射或粒子的处理装置，如聚焦、慢化 |
| --------G21K1/08 | .用电或磁装置使束流偏转、集中或聚焦 |
| ----------G21K1/093 | ..用磁的装置 |