基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：CN96102369.4 申请日：1996-07-17
- 公开(公告)号：CN1142688A 公开(公告)日：1997-02-12
- 发明人： 高桥彻雄 , 中村胜光 , 凑忠玄 , 原田真名
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 范本国
- 优先权： 183102/95 1995.07.19 JP; 237002/95 1995.09.14 JP; 280961/95 1995.10.27 JP
- 主分类号： H01L29/68
- IPC分类号： H01L29/68 ; H01L29/74 ; H01L29/78
摘要：
一个由一个p+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。
公开/授权文献:
- CN1052342C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2000-05-10