基本信息:
- 专利标题： 一种光刻胶侧壁形貌控制方法
- 申请号：CN202010974463.3 申请日：2020-09-16
- 公开(公告)号：CN114267577A 公开(公告)日：2022-04-01
- 发明人： 葛欢 , 田亮 , 吴沛飞 , 吴斌 , 齐向
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司泰安供电公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山东省电力公司泰安供电公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山东省电力公司泰安供电公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/38 ; G03F7/20
摘要：
本发明提供了一种光刻胶侧壁形貌控制方法，其包括：经预处理的晶圆中心定位并涂光刻胶；对晶圆依次进行前烘、曝光、显影得光刻胶图形；预定义光刻胶图形的尺寸；去除残留光刻胶和坚膜；本发明提供的技术方案大大提高了衬底材料和图形尺寸不同造成的图形转换质量、改进了工艺、降低了成本。
公开/授权文献:
- CN114267577B 一种光刻胶侧壁形貌控制方法 公开/授权日：2025-01-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |