基本信息:
- 专利标题： 具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构的制造
- 申请号：CN202110967073.8 申请日：2021-08-23
- 公开(公告)号：CN114256232A 公开(公告)日：2022-03-29
- 发明人： L·P·古勒尔 , M·K·哈珀 , W·许 , B·古哈 , T·加尼 , N·祖斯布拉特 , J·M·坦 , B·克里格尔 , M·K·哈兰 , R·帕特尔 , O·戈隆茨卡 , M·哈桑
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 邬少俊
- 优先权： 17/030,212 20200923 US
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/775 ; H01L29/78 ; H01L21/8234 ; B82Y10/00
摘要：
描述了具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠体在水平纳米线的第一垂直布置之上，而第二栅极堆叠体在水平纳米线的第二垂直布置之上。第二栅极堆叠体的一端与第一栅极堆叠体的一端间隔开一间隙。集成电路结构还包括电介质结构，该电介质结构具有沿第一栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第一部分、沿第二栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第二部分、以及完全填充间隙的第三部分，第三部分与第一和第二部分连续。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |