基本信息:
- 专利标题： 一种n掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法
- 申请号：CN202111349724.3 申请日：2021-11-15
- 公开(公告)号：CN114242818B 公开(公告)日：2024-03-22
- 发明人： 李国强 , 郑昱林 , 柴吉星 , 吴青
- 申请人： 华南理工大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构： 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈智英
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/105 ; H01L31/18
摘要：
本发明属于可见光探测器的技术领域，公开了一种n掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法。所述可见光探测器自下至上依次包括基底、Sn掺杂的n型InxGa2‑xS3层、本征i‑InxGa2‑xS3层、p型InxGa2‑xS3层；本征i‑InxGa2‑xS3层部分覆盖Sn掺杂的n型InxGa2‑xS3层；n电极设置在未被覆盖的n型InxGa2‑xS3层上表面的一侧，p电极设置在p型InxGa2‑xS3层上。本发明还公开了可见光探测器的制备方法。本发明采用Sn作为n型掺杂源，实现了原位生长n型掺杂铟镓硫半导体，增强了光吸收，提高了光生载流子的密度和传输时间，获得了高灵敏的可见光探测器。
公开/授权文献:
- CN114242818A 一种n掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法 公开/授权日：2022-03-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/032 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L31/0272至H01L31/0312各组的化合物 |