基本信息:
- 专利标题： 浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构
- 申请号：CN202210171603.2 申请日：2022-02-24
- 公开(公告)号：CN114242651A 公开(公告)日：2022-03-25
- 发明人： 余山 , 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王凯 , 吴波 , 邓永峰 , 刘倩倩 , 郁文
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 何智超
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
本发明涉及半导体领域，提供一种浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构。所述浅槽隔离结构制作方法包括：在硅衬底上生长氧化物隔离层，在所述氧化物隔离层上生长腐蚀阻挡层；对腐蚀阻挡层和氧化物隔离层进行刻蚀处理，形成至少两个相互独立的凹槽；在所述凹槽内进行硅填充，将硅填充凹槽作为硅衬底的外延结构；去除腐蚀阻挡层，以在氧化物隔离层中除外延结构之外的区域构成浅槽隔离区。本发明的浅槽隔离结构制作方法，与现有的浅槽隔离工艺相反，由于起到隔离作用的隔离浅槽不是直接刻蚀形成，不会存在尖锐角落，避免角落寄生漏电流的问题，且工艺简单、均匀性好，提高了浅槽隔离结构的隔离特性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |