基本信息:
- 专利标题： 一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法
- 申请号：CN202111352023.5 申请日：2021-11-16
- 公开(公告)号：CN114235236A 公开(公告)日：2022-03-25
- 发明人： 汪祖民
- 申请人： 龙微科技无锡有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园G5栋
- 专利权人： 龙微科技无锡有限公司
- 当前专利权人： 龙微科技无锡有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园G5栋
- 代理机构： 无锡市汇诚永信专利代理事务所
- 代理人： 苗雨
- 主分类号： G01L1/22
- IPC分类号： G01L1/22 ; G01L9/04 ; G01L19/00
摘要：
本发明涉及MEMS压力传感器技术领域,公开了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括制作敏感结构，敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；在敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻，使用时，第一容腔处的压敏电阻在测量环境中输出第一检测信号，该信号包含压力信号和残余应力引入的误差信号，第二容腔处的压敏电阻在正常气压下输出第二检测信号，该信号仅包含残余应力引入的误差信号，将第二检测信号补偿第一检测信号得到MEMS压力传感器芯片的实际检测信号，消除了芯片结构残余应力和封装残余应力对MEM压力传感器芯片的影响，降低了输出漂移，使压力传感器具有较高的测量准确性和稳定性。