基本信息:
- 专利标题： 基于纳米管阵列的肖特基结及其制备方法和β核电池
- 申请号：CN202111517481.X 申请日：2021-12-13
- 公开(公告)号：CN114188063A 公开(公告)日：2022-03-15
- 发明人： 周春林 , 邓志勇 , 吴巍伟 , 张劲松 , 冯焕然 , 苏晨 , 徐盼 , 杨毓枢 , 陈桎远 , 王磊
- 申请人： 中国核动力研究设计院
- 申请人地址： 四川省成都市双流区长顺大道一段328号
- 专利权人： 中国核动力研究设计院
- 当前专利权人： 中国核动力研究设计院
- 当前专利权人地址： 四川省成都市双流区长顺大道一段328号
- 代理机构： 成都行之专利代理事务所
- 代理人： 唐邦英
- 主分类号： G21H1/06
- IPC分类号： G21H1/06
摘要：
本发明公开了基于纳米管阵列的肖特基结及其制备方法和β核电池，肖特基结的制备方法包括以下步骤：S1、制备TiO2纳米管阵列：将钛片进行预处理，然后依次经过第一次阳极氧化、第二次阳极氧化和退火处理，获得TiO2纳米管阵列；阳极氧化以钛片作为阳极，铂片作为阴极，采用的电解液包括氟化铵、乙二醇和水；S2、采用ALD法在步骤S1制备TiO2纳米管阵列表面沉积β辐射源层。本发明解决了现有肖特基结的辐射源利用率较低，且制备成的β电池能量转换效率较低的问题。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G21 | 核物理；核工程 |
| ----G21H | 从放射源取得能量；放射源辐射的应用；宇宙射线的利用 |
| ------G21H1/00 | 从放射源取得电能的装置，例如，从放射性同位素 |
| --------G21H1/06 | .辐射运用于不同半导体材料结的电池 |