基本信息:
- 专利标题： 一种基于Cd(II)的配位聚合物及其制备方法与应用
- 申请号：CN202010877054.1 申请日：2020-08-27
- 公开(公告)号：CN114106342A 公开(公告)日：2022-03-01
- 发明人： 赵朝委 , 张月凤 , 方洁 , 游胜勇 , 晏南富 , 李韦伟
- 申请人： 江西省科学院应用化学研究所
- 申请人地址： 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号
- 专利权人： 江西省科学院应用化学研究所
- 当前专利权人： 江西省科学院应用化学研究所
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号
- 代理机构： 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理人： 王志坤
- 主分类号： C08G83/00
- IPC分类号： C08G83/00 ; C02F1/28 ; C02F101/20
摘要：
本发明涉及重金属离子吸附技术领域，具体涉及一种基于Cd(II)的配位聚合物及其制备方法与在水相铬离子吸附中的应用。本发明公开的基于Cd(II)的配位聚合物结构式为[CdI2(C35H33N9O4)]n，由有机配体L和CdI2在密闭高温的条件下反应得到。该配位聚合物的每个结构单元中都有两个自由的吡啶位点，这些配位位点对镉离子表现出较强的吸附作用，从而达到从水相中吸附脱除镉的效果，并且采用本发明的Cd(II)的配位聚合物吸附水相中各种镉离子盐不受平衡阴离子影响。
公开/授权文献:
- CN114106342B 一种基于Cd(II)的配位聚合物及其制备方法与应用 公开/授权日：2022-11-01
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08G | 用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物 |
| ------C08G83/00 | 在C08G2/00到C08G81/00组中不包含的高分子化合物 |