基本信息:
- 专利标题： 具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法
- 申请号：CN202110911819.3 申请日：2021-08-10
- 公开(公告)号：CN114078742A 公开(公告)日：2022-02-22
- 发明人： M·D·莱维 , S·P·阿杜苏米利 , 贾加尔·辛格
- 申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 林莹莹; 牛南辉
- 优先权： 16/992440 20200813 US
- 主分类号： H01L21/763
- IPC分类号： H01L21/763
摘要：
本公开涉及一种具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法。一种结构包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括半导体衬底、位于半导体衬底之上的掩埋绝缘体层和位于掩埋绝缘体层之上的SOI层。至少一个多晶有源区填充形状位于SOI层中。多晶隔离区可以位于掩埋绝缘体层下方的半导体衬底中。在提供至少一个多晶有源区填充形状的情况下，该至少一个多晶有源区填充形状在多晶隔离区之上横向对准。在提供多晶隔离区的情况下，多晶隔离区可以延伸到半导体衬底中的不同深度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/763 | ....多晶硅半导体区 |