![铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法](/CN/2021/1/282/images/202111412832.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法
- 申请号:CN202111412832.0 申请日:2021-11-25
- 公开(公告)号:CN114058897A 公开(公告)日:2022-02-18
- 发明人: 王小京 , 丁梓峰 , 李溯杰 , 高幸 , 刘瑞 , 刘宁
- 申请人: 江苏科技大学
- 申请人地址: 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
- 专利权人: 江苏科技大学
- 当前专利权人: 江苏科技大学
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理人: 常孟
- 主分类号: C22C9/00
- IPC分类号: C22C9/00 ; C22C9/06 ; C25D3/58 ; C25D7/00 ; C23C14/35 ; C23C14/16 ; H05K1/02 ; H05K3/22
摘要:
本发明公开了一种铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法,该铜合金薄膜为二元合金,包括铜元素以及可以与铜形成正混合熵的添加元素;铜元素的质量百分含量为95~99wt%;通过先在基底上形成具有正混合焓的铜合金薄膜;然后对铜合金薄膜施加能量场,使其中的添加元素析出并在铜薄膜表面形成保护层。本发明采取具有正的混合焓的铜合金薄膜,通过压差的作用导致合金中的添加元素向表面运动,最终使添加元素覆盖在铜上,抑制了金属铜的电化学迁移,提高铜线路板对电化学迁移的抵抗能力,整体制备方法可以一次形成双元素镀层,简化了工艺,提高了镀层的可靠性。
公开/授权文献:
- CN114058897B 铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法 公开/授权日:2022-05-17