基本信息:
- 专利标题： 掩埋异质结器件及其制备方法
- 申请号：CN202111232392.0 申请日：2021-10-22
- 公开(公告)号：CN113991419B 公开(公告)日：2023-12-15
- 发明人： 马钰 , 李媛媛 , 李伟江 , 梁平 , 胡颖 , 刘俊岐 , 王利军 , 张锦川 , 刘舒曼 , 卓宁 , 翟慎强 , 刘峰奇
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 樊晓
- 主分类号： H01S5/024
- IPC分类号： H01S5/024 ; H01S5/0235 ; H01S5/20 ; H01S5/22 ; H01S5/34 ; H01S5/343
摘要：
本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
公开/授权文献:
- CN113991419A 掩埋异质结器件及其制备方法 公开/授权日：2022-01-28