基本信息:
- 专利标题： 半导体结构的形成方法
- 申请号：CN202010724368.8 申请日：2020-07-24
- 公开(公告)号：CN113972164A 公开(公告)日：2022-01-25
- 发明人： 刘盼盼 , 王彦 , 张海洋
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区；在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成位于第一栅极结构侧壁表面和顶部表面的介质结构；在第一区上的介质结构内形成暴露出第一源漏掺杂区表面的第一开口；在第一开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层；对第一源漏掺杂区进行第一离子注入；在第一离子注入之后，在衬底上形成暴露出第一区的掩膜层；以掩膜层为掩膜对第一源漏掺杂区进行第二离子注入；在第二离子注入之后，去除掩膜层；去除掩膜层之后，回刻蚀初始隔离层，直至暴露出第一源漏掺杂区表面，在第一开口侧壁形成第一隔离层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |