基本信息:
- 专利标题： 一种8T2R非易失SRAM单元电路
- 申请号：CN202111064230.0 申请日：2021-09-10
- 公开(公告)号：CN113921058A 公开(公告)日：2022-01-11
- 发明人： 蔺智挺 , 孙朋 , 吴秀龙 , 朱志国 , 彭春雨 , 卢文娟 , 赵强 , 陈军宁
- 申请人： 安徽大学 , 合肥市微电子研究院有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号;
- 专利权人： 安徽大学,合肥市微电子研究院有限公司
- 当前专利权人： 安徽大学,合肥市微电子研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号;
- 代理机构： 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理人： 郑立明; 陈亮
- 主分类号： G11C11/417
- IPC分类号： G11C11/417 ; G11C13/00
摘要：
本发明公开了一种8T2R非易失SRAM单元电路，包括两个阻变随机存取存储器RRAM构成的非易失数据存储电路，上方的阻变随机存取存储器UR和下方的阻变随机存取存储器BR；一个N型MOSFET和一个P型MOSFET构成的传输门电路，N型MOSFET记为NT，P型MOSFET记为PT；两个P型MOSFET与两个N型MOSFET构成两个反相器，并且这两个反相器的首尾相连，两个P型MOSFET分别记为左上拉晶体管LUT和右上拉晶体管RUT，两个N型MOSFET分别记为左下拉晶体管LDT和右下拉晶体管RDT，左侧访问晶体管LAT和右侧访问晶体管RAT构成6T‑SRAM的存储单元。该电路在SRAM的读、写和保持能力的基础上，增加了非易失单元RRAM，令SRAM具备掉电数据不丢失和上电数据恢复能力。
公开/授权文献:
- CN113921058B 一种8T2R非易失SRAM单元电路 公开/授权日：2025-01-10
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/413 | .....辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的 |
| ------------G11C11/417 | ......用于场效应型存储单元的 |