基本信息:
- 专利标题： 一种电容器、芯片及电容器的制备方法
- 申请号：CN202111475179.2 申请日：2021-12-06
- 公开(公告)号：CN113903857B 公开(公告)日：2023-03-24
- 发明人： 赵东艳 , 王于波 , 王凯 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 余山 , 邓永峰 , 吴波
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 高英英
- 主分类号： H10N97/00
- IPC分类号： H10N97/00 ; H01L23/64 ; H01L21/02
摘要：
本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。
公开/授权文献:
- CN113903857A 一种电容器、芯片及电容器的制备方法 公开/授权日：2022-01-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N97/00 | 其它不包括的电固态薄膜或厚膜器件 |