基本信息:
- 专利标题： III族氮化物晶体的制造方法
- 申请号：CN202110740713.1 申请日：2021-06-30
- 公开(公告)号：CN113882020A 公开(公告)日：2022-01-04
- 发明人： 森勇介 , 吉村政志 , 今西正幸 , 北本启 , 泷野淳一 , 隅智亮 , 冈山芳央
- 申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本国大阪府;
- 专利权人： 国立大学法人大阪大学,松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 国立大学法人大阪大学,松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国大阪府;
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 任岩
- 优先权： 2020-115825 20200703 JP
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; C30B25/00
摘要：
本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。