基本信息:
- 专利标题： 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法
- 申请号：CN202111453598.6 申请日：2021-12-01
- 公开(公告)号：CN113866690A 公开(公告)日：2021-12-31
- 发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 邵瑾 , 付振 , 王帅鹏 , 朱大鹏 , 周敏 , 周芝梅 , 王立城 , 赵巍胜 , 曲俊达 , 夏清涛 , 关心
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈潇潇
- 主分类号： G01R33/09
- IPC分类号： G01R33/09 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
公开/授权文献:
- CN113866690B 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法 公开/授权日：2022-10-11
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R33/00 | 测量磁变量的装置或仪器 |
| --------G01R33/02 | .测量磁场或磁通量的方向或大小 |
| ----------G01R33/04 | ..应用磁通控制原理 |
| ------------G01R33/09 | ...磁电阻器件 |