基本信息:
- 专利标题： 一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET
- 申请号：CN202111123112.2 申请日：2021-09-24
- 公开(公告)号：CN113851542B 公开(公告)日：2024-04-12
- 发明人： 刘超 , 夏云 , 陈万军 , 张波
- 申请人： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼三期1号楼3单元
- 专利权人： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
- 当前专利权人： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼三期1号楼3单元
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理人： 孙一峰
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06
摘要：
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET。本发明的器件在耐压区的超结结构中引入了高浓度的P型缓冲层，引入的P型缓冲层延长了其体二极管漂移区的长度，使得漂移区内的载流子分布更加靠近漏极，这减缓了漂移区内载流子的抽取，同时，高掺杂的P型缓冲层在器件耐压时不会完全耗尽，因此反向导通时高掺杂的P型缓冲层内的载流子可以被缓慢地抽取，反向恢复电流的下降率di/dt得以降低，反向恢复特性得以改善。本发明的有益效果为，本发明的具有软反向恢复特性的超结MOSFET，优化了反向恢复时的di/dt和dv/dt，从而改善了超结MOSFET反向恢复特性。
公开/授权文献:
- CN113851542A 一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET 公开/授权日：2021-12-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |