基本信息:
- 专利标题： 超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件
- 申请号：CN202111080289.9 申请日：2021-09-15
- 公开(公告)号：CN113838964A 公开(公告)日：2021-12-24
- 发明人： 何珂 , 张浩 , 冯硝 , 姜钰莹 , 苗文韬 , 宋文玉 , 曹霑 , 杨帅 , 李琳 , 仝冰冰 , 臧运祎 , 耿祖汗
- 申请人： 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区西北旺东路10号院西区3号楼;
- 专利权人： 北京量子信息科学研究院,清华大学
- 当前专利权人： 北京量子信息科学研究院,清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西北旺东路10号院西区3号楼;
- 代理机构： 北京华进京联知识产权代理有限公司
- 代理人： 王勤思
- 主分类号： H01L39/22
- IPC分类号： H01L39/22 ; H01L39/12 ; H01L39/24
摘要：
本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。
公开/授权文献:
- CN113838964B 超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件 公开/授权日：2023-11-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/22 | .包含有一个不同材料结点的器件，例如约瑟夫逊效应器件 |