基本信息:
- 专利标题： 高动态范围CMOS图像传感器设计
- 申请号：CN202110569734.1 申请日：2021-05-25
- 公开(公告)号：CN113810635B 公开(公告)日：2022-05-17
- 发明人： 代铁军 , 马渕圭司 , 高哲
- 申请人： 豪威科技股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 优先权： 16/886,473 20200528 US
- 主分类号： H04N5/355
- IPC分类号： H04N5/355 ; H04N5/3745 ; H04N5/378 ; H04N5/225 ; H04N5/335
摘要：
本申请案涉及高动态范围CMOS图像传感器设计。一种像素单元包含第一子像素及多个第二子像素。每一子像素包含光电二极管以响应于入射光而光生图像电荷。图像电荷通过第一转移晶体管从所述第一子像素转移到浮动扩散部。图像电荷通过多个第二转移晶体管从所述多个第二子像素转移到所述浮动扩散部。衰减层安置在所述第一子像素上方。所述第一子像素通过所述衰减层接收所述入射光。所述多个第二子像素在不行进通过所述衰减层的情况下接收所述入射光。双浮动扩散部DFD晶体管耦合到所述浮动扩散部。电容器耦合到所述DFD晶体管。
公开/授权文献:
- CN113810635A 高动态范围CMOS图像传感器设计 公开/授权日：2021-12-17